CHINESE JOURNAL OF ENERGETIC MATERIALS
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半导体桥(SCB)冲击片起爆技术研究
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杨振英(1953-),男,高级工程师,主要从事爆炸箔起爆与点火技术研究。e-mail: Yang_zhenying@163.com

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Initiation Technique of Semiconductor Bridge (SCB) Slapper
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    摘要:

    优化设计了硅半导体芯片及桥区参数,并对SCB冲击片起爆HNS-Ⅳ炸药及影响发火能量的因素进行了试验研究。结果表明,致密性好的SCB多晶硅,厚度为4 μm时,50%发火能量低,起爆重现性好。

    Abstract:

    Parameters of silicon semiconductor chip and bridge section were designed and optimized. The initiation of HNS-Ⅳexplosive with SCB lapper was carried out and the factors influencing firing energy were studied. Results show that when thickness of SCB slapper with good compactness of polycrystalline silicon is 4 μm, the 50% firing energy is low, and initiation compactness is good.

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杨振英,杨树彬,王新才,等.半导体桥(SCB)冲击片起爆技术研究[J].含能材料, 2007, 15(2):131-133.
YANG Zhen-ying, YANG Shu-bin, WANG Xin-cai, et al. Initiation Technique of Semiconductor Bridge (SCB) Slapper[J]. Chinese Journal of Energetic Materials, 2007, 15(2):131-133.

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历史
  • 收稿日期: 2006-08-24
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期: 2011-10-31
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