CHINESE JOURNAL OF ENERGETIC MATERIALS
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Ni-Cr桥膜换能元的制备
作者:
作者单位:

陕西应用物理化学研究所

作者简介:

解瑞珍(1977-),女,工程师,主要从事微火工品技术研究。e-mail: xieruizhen@126.com

通讯作者:

基金项目:

陕西省应用物理化学重点实验室基金(9140C370205090C37)


Fabrication of Ni-Cr Film Igniting Resistor
Author:
Affiliation:

Shaanxi Applied Physics-Chemistry Research Institute.

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    摘要:

    为了制作出阻值一致性好,发火电压低的金属桥膜换能元,对Ni-Cr薄膜换能元制作过程中的薄膜溅射、刻蚀等工艺进行了探索,并对制作的换能元参数进行了测试。结果显示随着溅射功率的减小,薄膜的沉积速率减小,成膜致密性提高; 在一定范围内,刻蚀液中高氯酸所占的比例越大,刻蚀用时越短。制作的Ni-Cr薄膜换能元电阻的一致性较好,在47 μF电容情况下发火电压均值为6.67 V。

    Abstract:

    The sputtering and etching techniques of Ni-Cr film igniting resistor were studied in order to achieve even resistance and low firing voltage,at the same time,the parameter of igniting resistor was tested. The results show that the velocity of film sputter diminishes and the compact performance of film improves as sputtering power reduces. The resistance coherence of Ni-Cr film igniting resistor is good,and average firing voltage is 6.67 V when charge capacitance is 47 μF.

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解瑞珍,任小明,王可暄,等. Ni-Cr桥膜换能元的制备[J].含能材料, 2011, 19(5):584-587. DOI:10.3969/j. issn.1006-9941.2011.05.023.
XIE Rui-zhen, REN Xiao-ming, WANG Ke-xuan, et al. Fabrication of Ni-Cr Film Igniting Resistor[J]. Chinese Journal of Energetic Materials, 2011, 19(5):584-587. DOI:10.3969/j. issn.1006-9941.2011.05.023.

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历史
  • 收稿日期: 2010-12-08
  • 最后修改日期: 2011-06-21
  • 录用日期: 2011-05-12
  • 在线发布日期: 2012-02-22
  • 出版日期: