高级搜索

您是今天第:1467位访问者

您是第:10182866位访问者

原子发射光谱双谱线法测量半导体桥(SCB)等离子体温度(英)
Measurement of the Semiconductor Bridge (SCB) Plasma Temperature by the Double Line of Atomic Emission Spectroscopy
  • 摘要
  •  
  • 参考文献
  •  
  • 引证文献
中文摘要:
      在原子发射光谱双谱线法的基础上,设计了含有两个干涉滤光片和光电倍增管双谱线测温系统。仪器的最高的时间分辨率为0.1 μs。讨论了不同能量输入条件下SCB等离子体的温度和等离子体的存在时间。实验结果表明在电压24~32 V,电容68 μF不变的情况下,等离子体的温度从2710 K升高到3880 K,等离子体存在时间从170.7 μs 上升到283.4 μs。
中文关键词: 应用化学  SCB等离子体  原子发射光谱法  温度测定
英文摘要:
      A system consisting of two interference filters of different wavelength and two photo-multiplier detectors was used to measure the time evolution of the SCB plasma temperature based on the double line of atomic emission spectroscopy. The highest temporal resolution of the apparatus was 0.1 μs. The results show that when the voltage is 24-32 V and all capacitances are 68 μF, the highest temperature and duration of the SCB plasma increases from 2710 K to 3880 K and from 170.7 μs to 283.4 μs, respectively.
英文关键词: applied chemistry  SCB plasma  emission spectroscopy  temperature measurement
投稿日期:2006-07-17
网络出版日期:2011-10-31
基金项目:National Natural Science Foundation (20175008) and Young Scholar Foundation of Nanjing University of Science and Technology (Njust200303)
引用文献:冯红艳,李艳,张琳,等.原子发射光谱双谱线法测量半导体桥(SCB)等离子体温度(英)[J].含能材料,2007,15(2):134~136.FENG Hong-yan,LI Yan,ZHANG Lin,et al. Measurement of the Semiconductor Bridge (SCB) Plasma Temperature by the Double Line of Atomic Emission Spectroscopy[J]. Chinese Journal of Energetic Materials(Hanneng Cailiao),2007,15(2):134-136.
作者单位
冯红艳 南京理工大学化工学院 江苏 南京 210094 
李艳 南京理工大学化工学院 江苏 南京 210094 
张琳 南京理工大学化工学院 江苏 南京 210094 
吴蓉 南京理工大学化工学院 江苏 南京 210094 
王俊德 南京理工大学化工学院 江苏 南京 210094 
朱顺官 南京理工大学化工学院 江苏 南京 210094 
摘要点击次数: 1923
全文下载次数: 1351
HTML  查看全文   查看/发表评论   下载PDF阅读器

更多>>

更多>>

分享按钮